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磁控溅射技术的不足

浏览:562 发表时间:2019-05-06 09:58:20

磁控溅射技术的不足

沉积速率比电弧离子镀低,镀膜距离比电弧离子镀短。膜层粒子能量比离子镀低:2eV--10eV,金属离化率低:<15%,不易形成化合物膜镀氮化钛的工艺范围小,配气范围窄镀绝缘膜时,靶材容易产生靶中毒。

磁控溅射技术进展:非平衡磁控溅射靶、中频电源、孪生靶、高功率电源+非平衡磁控溅射靶。

平衡磁控与非平衡磁控

平衡磁控靶:外圈磁钢和中心磁钢都用钕铁棚,靶面上的磁场将等离子体约束在靶面附件,镀膜距离短,约60MM--90mm

非平衡磁控靶:外圈强磁钢钕铁棚,内圈弱磁体,靶面上磁场作用区延长,远离靶面的电子池可以使氩气和金属粒子电离,镀膜距离加大、装炉量大、生产效率高。

平衡-非平衡磁控溅射-电弧离子镀对比

性能

平衡磁控溅射

非平衡磁控溅射

电弧离子镀

膜材原子离化率(%)

10

      10

60--90

靶材-工件距离(mm)

60--90  

100--150

200--400

偏流密度(mA/cm)

靶-工件距离(50mm)

靶-工件距离(200mm)

 

      0.5

      0.1

 

0.5--10

0.1--5

 

       150

       10

膜层上的液滴

      无

       无

        无

镀钢复杂工件的难度

      困难

       可行

       容易



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